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电子元器件详细资料 » IC[20427] » HAT2197R-EL-E
型号:HAT2197R-EL-E类别:FET - 单制造商:Renesas Electronics America
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
系列-
制造商Renesas Electronics America
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C16A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C6.7 毫欧 @ 8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大222-
闸电荷(Qg)0a0Vgs18nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds2650pF @ 10V
功率_最大2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市楷瑞达科技电子有限公司朱先生13528893675
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳市欧立现代科技有限公司林小姐 胡先生 张先生0755-83222787/23999932
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
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